Zakład Technologii Mikrosystemów i Materiałów Elektronicznych prowadzi badania w zakresie:

• technologii węglika krzemu – utlenianie termiczne, reaktywne trawienie jonowe, kontakty metal/ półprzewodnik;
• wytwarzania technikami PECVD, ALD oraz rozpylania magnetronowego, obróbka termiczna oraz charakteryzacja warstw dielektrycznych o wysokiej przenikalności elektrycznej;
• charakteryzacji szerokopasmowych materiałów półprzewodnikowych – struktura defektowa, stan powierzchni, złącza, charakteryzację aktywnych elektrycznie defektów w zakresie temperatur kriogenicznych technikami DLTS, TSC;
• projektowania, modelowania, wytwarzania i charakteryzacji przyrządów dużej mocy oraz wielkiej częstotliwości w technologiach półprzewodników szerokopasmowych (SiC, GaN, diament) – diody Schottky’ego, diody PiN, tranzystory MOSFET;
• konstrukcji przekształtników energoelektronicznych z wykorzystaniem przyrządów mocy w technologii SiC oraz GaN;
• wytwarzania i charakteryzacji heterostruktur oraz przyrządów heterozłączowych do fotodetekcji promieniowania UV, widzialnego, gamma oraz cząstek (ZnO, SiC, GaN, AlN, inne);
• czujników światłowodowych: współczynnika załamania, ciśnienia, temperatury, biosensory;
• wykorzystania technik osadzania z fazy gazowej w wytwarzaniu warstw do zastosowań czujnikowych;
• technologii montażu SMD na laminatach sztywnych, półsztywnych, elastycznych, cięcie laserowe szablonów do sitodruku pasty, laminatów sztywnych, elastycznych, podłoży półprzewodnikowych oraz szklanych, badania niezawodnościowe obwodów drukowanych;
• technologii mikromontażu przyrządów półprzewodnikowych.