mgr inż. Agnieszka Martychowiec Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW ul. Koszykowa 75 pok. GR 337 00-662 Warszawa tel. (22) 234 6065 e-m@il: |
Studia inżynierskie (2017) i magisterskie (2018) na kierunku Mechatronika ukończyła w Politechnice Lubelskiej. Od 2018 roku doktorantka Politechniki Warszawskiej na kierunku Elektronika, obecnie zatrudniona na stanowisku specjalisty naukowo-technicznego w Instytucie Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej.
W ramach działań związanych z przygotowaniem pracy doktorskiej jest zaangażowana w prace badawcze dotyczące wykorzystania technologii węglika krzemu w konstrukcji czujników, kontynuując tym samym prace związane z tematyką detekcji promieniowania podczerwonego (IR) oraz promieniowania ultrafioletowego (UV) rozpoczęte w trakcie studiów inżynierskich (tytuł pracy dyplomowej: Projekt i technologia złącza Schottky’ego z węglika krzemu) i magisterskich (tytuł pracy dyplomowej: Wpływ zastosowania SU-8 na charakterystyki prądowo-napięciowe fotodiody HgCdTe z pasywacją anodową).
Tematyka badawcza rozwijana w ZTMiME:
W ramach działań związanych z przygotowaniem pracy doktorskiej jest zaangażowana w prace badawcze dotyczące wykorzystania technologii węglika krzemu w konstrukcji czujników, kontynuując tym samym prace związane z tematyką detekcji promieniowania podczerwonego (IR) oraz promieniowania ultrafioletowego (UV) rozpoczęte w trakcie studiów inżynierskich (tytuł pracy dyplomowej: Projekt i technologia złącza Schottky’ego z węglika krzemu) i magisterskich (tytuł pracy dyplomowej: Wpływ zastosowania SU-8 na charakterystyki prądowo-napięciowe fotodiody HgCdTe z pasywacją anodową).
Tematyka badawcza rozwijana w ZTMiME:
- Technologia SiC w mikroelektronice
- Wykorzystanie technologii SiC w konstrukcji czujników (fotodiody PiN, złącza Schottky’ego, fototranzystory bipolarne na bazie ZnO/SiC)
- Charakteryzacja struktur fotodetektorowych