Bartłomiej Stonio

mgr inż. Bartłomiej Stonio
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW
ul. Koszykowa 75 pok. GR 423A
00-662 Warszawa
tel. (22) 234 7785
e-m@il:

Absolwent Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych PW (mgr inż. 2014) oraz Wydziału Geodezji i Kartografii (inż. 2017). Doświadczenie zawodowe zdobywał podczas realizacji projektu CEZAMAT (od 2014 roku) w zakresie instalacji, uruchamiana aparatury badawczej oraz opracowania procesów technologicznych. W roku 2014 odbył 6-miesięczny staż w ośrodku badawczym IMEC w Belgii, gdzie zajmował się opracowaniem procesów czyszczenia powierzchni, mokrego trawienia.

Tematyka badawcza
Prace badawcze zaczął na etapie studiów inżynierskich w 2010 roku. Główna tematyką były procesy osadzania, trawienia oraz charakteryzacji cienkich warstw dielektrycznych na potrzeby struktur tranzystorowych/ISFET. Obecnie jego zainteresowania badawcze zostały poszerzone o tematykę związaną z materiałami 2D oraz przyrządami na bazie węglika krzemu.
  • procesy wysokotemperaturowe, procesy RTP ( ang. Rapid Thermal Processing), procesy LPCVD ( ang. Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
  • wytwarzanie cienkich tlenków oraz azotków, wygrzewanie wysokotemperaturowe
  • technologia węglika krzemu
  • materiały 2D z rodziny dichalkogenków metali przejściowych

Publikacje z lat 2020-2025:
  • K. Racka-Szmidt, B. Stonio, J, Żelazko et al., A Review: Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of Silicon Carbide, Materials 15 (1), 2022, pp. 1-23, http://dx.doi.org/10.3390/ma15010123
  • B. Stonio, P. Wiśniewski, M.Haras, Technologia wytwarzania sub-mikrometrowych diod tunelowych typu MIM, Przegląd Elektrotechniczny 1 (2), 2022, pp. 116-118, http://dx.doi.org/10.15199/48.2022.02.25
  • B. Stonio, N. Kwietniewski, P. Firek, M. Sochacki, “”, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma, Przegląd Elektrotechniczny 97, 2021, pp. 57-59, http://dx.doi.org/10.15199/48.2021.02.14