 | mgr inż. Bartłomiej Stonio Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW ul. Koszykowa 75 pok. GR 423A 00-662 Warszawa tel. (22) 234 7785 e-m@il:  |
Absolwent Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych PW (mgr inż. 2014) oraz Wydziału Geodezji i Kartografii (inż. 2017). Doświadczenie zawodowe zdobywał podczas realizacji projektu CEZAMAT (od 2014 roku) w zakresie instalacji, uruchamiana aparatury badawczej oraz opracowania procesów technologicznych. W roku 2014 odbył 6-miesięczny staż w ośrodku badawczym IMEC w Belgii, gdzie zajmował się opracowaniem procesów czyszczenia powierzchni, mokrego trawienia.
Tematyka badawcza
Prace badawcze zaczął na etapie studiów inżynierskich w 2010 roku. Główna tematyką były procesy osadzania, trawienia oraz charakteryzacji cienkich warstw dielektrycznych na potrzeby struktur tranzystorowych/ISFET. Obecnie jego zainteresowania badawcze zostały poszerzone o tematykę związaną z materiałami 2D oraz przyrządami na bazie węglika krzemu.
Tematyka badawcza
Prace badawcze zaczął na etapie studiów inżynierskich w 2010 roku. Główna tematyką były procesy osadzania, trawienia oraz charakteryzacji cienkich warstw dielektrycznych na potrzeby struktur tranzystorowych/ISFET. Obecnie jego zainteresowania badawcze zostały poszerzone o tematykę związaną z materiałami 2D oraz przyrządami na bazie węglika krzemu.
- procesy wysokotemperaturowe, procesy RTP ( ang. Rapid Thermal Processing), procesy LPCVD ( ang. Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
- wytwarzanie cienkich tlenków oraz azotków, wygrzewanie wysokotemperaturowe
- technologia węglika krzemu
- materiały 2D z rodziny dichalkogenków metali przejściowych
Publikacje z lat 2019-2024:
- K. Racka-Szmidt, B. Stonio, J, Żelazko et al., A Review: Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of Silicon Carbide, Materials 15 (1), 2022, pp. 1-23, http://dx.doi.org/10.3390/ma15010123
- B. Stonio, P. Wiśniewski, M.Haras, Technologia wytwarzania sub-mikrometrowych diod tunelowych typu MIM, Przegląd Elektrotechniczny 1 (2), 2022, pp. 116-118, http://dx.doi.org/10.15199/48.2022.02.25
- B. Stonio, N. Kwietniewski, P. Firek, M. Sochacki, “”, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma, Przegląd Elektrotechniczny 97, 2021, pp. 57-59, http://dx.doi.org/10.15199/48.2021.02.14
- P. Sai, D.B. But, I. Yahniuk, M. Grabowski, M. Sakowicz, P. Kruszewski, P. Prystawko, A. Khachapuridze, K. Nowakowski-Szkudlarek, J. Przybytek, P. Wiśniewski, B. Stonio, M. Słowikowski, S.L. Rumyantsev, W. Knap, G. Cywiński, AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range, Semiconductor Science and Technology 34, 2019, pp. 024002-1-6, http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aaf4a7
- P. Firek, B. Stonio, Influence of AlN etching process on MISFET structures, Microelectronics International 36 (3), 2019, pp. 109-113, http://dx.doi.org/10.1108/MI-12-2018-0081
- D. Nowak, M. Clapa, P. Kula, M.Sochacki, B. Stonio, M. Galazka, M. Pelka, D. Kuten, P. Niedzielski, Influence of the Interactions at the Graphene–Substrate Boundary on Graphene Sensitivity to UV Irradiation, Materials 12 (23), 2019, pp. 1-9, http://dx.doi.org/10.3390/ma122333949