mgr inż. Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW ul. Koszykowa 75 pok. 423A (GR) 00-662 Warszawa tel. (22) 234 7785 e-m@il: |
Z Politechniką Warszawską związany jest od 2000 roku, gdy rozpoczął studia na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych. W 2004 roku obronił tytuł inżyniera ze specjalności mikroelektronika na podstawie pracy dyplomowej pt. „Charakteryzacja struktur metal – amorficzny węglik krzemu (a-SiC) – metal”. W 2007 roku obronił tytuł magistra inżyniera na specjalności elektronika i inżynieria komputerowa na podstawie pracy dyplomowej pt. „Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw BaTiO3 dla struktur metal – ferroelektryk – półprzewodnik (MFS)”. Promotorem obu prac był dr inż. Aleksander Werbowy. Doświadczenie zawodowe zaczął zdobywać w Instytucie Technologii Elektronowej w Zakładzie Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych pracując na stanowisku inżynier w latach 2005-2009. Od 2007 roku w ramach studiów trzeciego stopnia aktywnie uczestniczył w realizacji projektów badawczych w Instytucie Mikroelektroniki i Optoelektroniki w Politechnice Warszawskiej. W 2011 roku odbył kilkumiesięczny staż zagraniczny w ośrodku badawczym Acreo AB w Szwecji. Ponadto w latach 2014-2015 uczestniczył w kursie zarządzania infrastrukturą badawczą - SIMS organizowanym przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju. Od 2016 roku zatrudniony jako specjalista naukowo-techniczny i asystent w Zakładzie Technologii Mikrosystemów i Materiałów Elektronicznych Instytutu Mikroelektroniki i Optoelektroniki na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych. W swoim dorobku naukowym posiada komunikaty na konferencjach krajowych i zagranicznych, artykuły naukowe oraz udział w wielu projektach badawczych zarówno krajowych jak i międzynarodowych. Jego zainteresowania pozazawodowe to taniec, folklor i podróże. Od 2000 do 2013 roku był członkiem Zespołu Pieśni i Tańca Politechniki Warszawskiej.
Tematyka badawcza:
Realizowane zajęcia dydaktyczne
Zainteresowania pozanaukowe
taniec, folklor, podróże, psychologia
Tematyka badawcza:
- technologia mikroelektroniczna półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej w szczególności węglika krzemu,
- projektowanie i opracowywanie procesów technologicznych wytwarzania warstw lub przyrządów półprzewodnikowych,
- charakteryzacja struktur mikroelektronicznych,
- pomiary elektryczne struktur półprzewodnikowych
Realizowane zajęcia dydaktyczne
- pomoc dyplomantom przy realizacji prac dyplomowych, szczególnie w zakresie prac technologicznych w laboratorium o podwyższonej czystości (clean-room), pomiarach elektrycznych struktur półprzewodnikowych, pomiarach elipsometrycznych.
Zainteresowania pozanaukowe
taniec, folklor, podróże, psychologia
Publikacje z lat 2019-2024:
- I. Del Villar, N. Kwietniewski, E. Gonzalez-Valencia et al., Bloch surface wave resonances generated with dielectric stack of high refractive index contrast deposited on a D-shaped optical fiber for sensing applications, Technical Digest Series: 27th International Conference on Optical Fiber Sensors OSA publishing (W4.58), 2022, pp. 1-4, http://dx.doi.org/10.1364/ofs.2022.w4.58
- Z. Dziekan, E. Pituła, N. Kwietniewski et al., Performance of nanoimprinted and nanocoated optical label-free biosensor - nanocoating properties perspective, Optics and Lasers in Engineering 153, 2022, pp. 107009-1-8, http://dx.doi.org/10.1016/j.optlaseng.2022.107009
- D. Burnat, N. Kwietniewski, K. Bartnik et al., Tailoring Refractive Index and Adlayer Sensitivity of an Optical Fiber Fabry-Perot Interferometer by a Thin Layer Deposition, TechRxiv , 2022, pp. 1-11, http://dx.doi.org/10.36227/techrxiv.21102715.v1
- D. Burnat, N. Kwietniewski, K. Bartnik et al., Tailoring Refractive Index and Surface Sensitivity of an Optical Fiber Fabry-Perot Interferometer by a Thin Layer Deposition, Journal of Lightwave Technology (Early Access), 2022, pp. 1-9, http://dx.doi.org/10.1109/jlt.2022.3227030
- B. Stonio, N. Kwietniewski, P. Firek, M. Sochacki, “”, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma, Przegląd Elektrotechniczny 97, 2021, pp. 57-59, http://dx.doi.org/10.15199/48.2021.02.14