Rozpoczął studia na wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej w 2010 roku. We wrześniu 2014 roku uzyskał tytuł inżyniera, następnie rozpoczął studia II stopnia na kierunku Mikroelektronika, Fotonika i Nanotechnologie. We wrześniu 2015 roku obronił pracę dyplomową pt. „Wytwarzanie tranzystora ISFET z zastosowaniem TiO2 w roli dielektryka bramkowego” uzyskując tytuł magistra i rozpoczął studia doktoranckie. Od listopada 2016 roku do maja 2017 roku odbywał staż w centrum naukowo badawczym Interuniversitair Micro-Electronica Centrum (IMEC) w Belgii. Od września 2017 roku jest zatrudniony w Sieci Badawczej Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (dawniej Instytut Technologii Elektronowej).

Zajmuje się technologią wytwarzania i charakteryzacji przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy i wielkiej częstotliwości. W szczególności wytwarzaniem przyrządów w technologii węglika krzemu i azotku galu, w tym: diod pin, tranzystorów o konstrukcji wertykalnej, tranzystorów HEMT.

Jest współautorem prac dotyczących wysokoselektywnego trawienia pGaN względem AlGaN ( https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105450) oraz stabilnej termicznie izolacji GaN za pomocą implantacji jonów Fe+ ( https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.105694).

Prowadził również zajęcia laboratoryjne z przedmiotów Wstęp do metod numerycznych (WNUM) oraz Charakteryzacja materiałów dla mikroelektroniki (CHA). Aktualnie jest zaangażowany w opracowywanie nowej formuły przedmiotu Wstęp do Metod Numerycznych (WNUM) oraz nowego przedmiotu dotyczącego przyrządów mocy.

W wolnym czasie zajmuje się popularyzowaniem wiedzy i „przedmiotów ścisłych” wśród młodzieży, jest instruktorem harcerskim i krajoznawcą z zamiłowania.